等離子體源

射頻式電感耦合等離子體源或雙頻等離子體源

反應腔室

標準設計為雙反應腔室，可根據需求定制單反應腔室和多反應腔室結構

機械傳片

單臂或雙臂高精度機械手

Wafer升降

機械式Wafer pin升降結構，Wafer pin采用特定工藝處理

真空泵

干式真空泵，根據安裝位置及工藝不同，選擇100-600m³/h規格。如工藝需求，可增加分子泵。

工藝壓力控制

自動調壓蝶閥

真空檢測

管道真空計、反應腔室全量程真空計、工藝真空計

工藝氣體種類

標準配置Ar、N2、O2，可增加CF4及其他工藝氣體

氣體流量控制

質量流量控制器（MFC）

反應腔室溫度范圍

50 - 280℃

控制系統

基于工業電腦設計開發的人機交互系統，系統設計人性化、操作簡單